Taipeh, Taiwan
Silicon Saxony Pavilion
San Francisco, CA, USA
Moscone Center
North Hall | Booth 5373
Plant 7, No 801 Qiangye Road, Songjiang District
201602 SHANGHAI
PR CHINA
双阳极溅射(Dual Anode Sputtering, DAS)是一种经工业验证的镀膜技术。其可应用于陶瓷工艺,适用于氧化铌(NbOx)、氧化钛(TiOx)或本征氧化锌(i-ZnO)等材料,例如在显示器和光伏行业中的应用。DAS方法能保证阳极的高利用率,因为即便在溅射电介质时,阳极也会定期清洁。
DAS技术可使我们从常用的中频交流(AC-MF)模式,转向工艺的直流(DC)供电模式,这能显著降低基材的热负荷。通过将DAS溅射与反应性工艺控制相结合,可在过渡区实现高沉积速率。这是一项显著的改进,尤其适用于二氧化硅(SiO₂)和氧化铝(AlOx)的沉积。
如需了解更多详细信息,请查看以下内容或直接联系我们。
即便用于绝缘层,依托阳极周期性清洁,仍能保障长时间运行
采用可扩展设计,可根据需求灵活调整布局
拥有专利技术方案并支持创新性操作,形成差异化竞争优势
Taipeh, Taiwan
Silicon Saxony Pavilion
San Francisco, CA, USA
Moscone Center
North Hall | Booth 5373
Plant 7, No 801 Qiangye Road, Songjiang District
201602 SHANGHAI
PR CHINA